聂建华，姜 晟，文 晋，蔡曼菲，梁永和，尹玉成
(武汉科技大学 省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室，湖北 武汉 430081)

摘 要：以单质Si和不同的二氧化硅（SiO₂含量分别为99.999 %的高纯石英玻璃、99.70 %的分析纯二氧化硅、99.14 %的工业石英、97.67 %的微硅粉）为原料，于1460 ℃下高纯氮气中反应合成Si₂N₂O，用XRD、SEM和TEM等方法研究了合成产物的相组成和形貌特征。结果表明：不同的二氧化硅源高温氮化合成的试样中Si₂N₂O的含量均达到91%以上；合成的试样中Si₂N₂O的形貌均为柱状或片层状，合成试样中Si₂N₂O的各元素的原子比也接近Si₂N₂O的理论原子比。
关键词：氧氮化硅；二氧化硅源；高温氮化