邓启煌，沈祥风，韩 斌，都时禹，丁志辉，黄 庆
（中国科学院宁波材料技术与工程研究所，浙江 宁波 315201）
摘 要：以α-Al2O3、γ-Al2O3和活性碳为原料，采用高温碳热还原氮化在氮气保护气氛下常压合成了AlON粉体。并探讨了氧化铝晶型、氧化铝和碳粉的配比、合成温度、保温时间等工艺条件对合成AlON粉体纯度的影响，通过对合成粉料的XRD、SEM分析，发现AlON的在低于1900 ℃下烧结存在氧化铝和氮化铝杂质，并且在1900 ℃，保温2 h能够得到晶形发育完善、粒度均匀、纯度高的AlON粉体。当碳含量为5.6%时，氮气流量为4 L/min，制备得到纯度达98%以上的AlON粉体；通过对比γ-Al2O3和α-Al2O3，发现γ-Al2O3晶型更有利于AlON粉体的形成。
关键词：AlON粉体；碳热还原氮化；合成