王文杰¹，王晓军²

(1. 陕西铁路工程职业技术学院，陕西 渭南 714000；2. 兰州理工大学 省部共建有色金属先进加工与再利用国家重点实验室，甘肃 兰州 730050)

摘  要：基于第一性原理，模拟分析了Ni、Te的掺杂对CoSb3热电材料能带和态密度的影响。计算得出其带隙值由0.350 eV减小至0.199 eV，带隙值减小使其热电性能提高。对比各原子的态密度发现，掺杂后样品呈现N型半导体的性质。采用固相反应法，在600 ℃、40 MPa条件下，通过热压烧结制备了In填充的In_0.3Co_4-xNi_xSb_12-yTe_y系热电材料。结果表明，制备的In_0.3Co_4-xNi_xSb_12-yTe_y系热电材料成分均匀没有杂相。在300 K-800 K的测试温度内，其赛贝克系数、热导率、电导率的变化趋势与预期相吻合，In_0.3Co_3.5Ni_0.5Sb_11.5Te_0.5热电材料的热导率在700 K时达到最小值为2.4 W•m^-1•K^-1，在750 K时，其热电优值达到了最大值0.62。

关键词：掺杂；In填充；Ni原子；Te原子；热电优值