史晓光1, 2，代书信1, 2，李炳生3，刘海勇2，李 朋2，周 洁2，黄 庆2，闵永安1，葛芳芳2
(1. 上海大学 材料科学与工程学院，上海 200444；2. 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 先进能源材料工程实验室，浙江 宁波 315201；3. 西南科技大学 环保能源材料国家重点实验室，四川 绵阳 621010)
摘 要：将无压烧结碳化硅(SiC)样品放入氩气(Ar)气氛中，于900°C-1000°C的熔融硫酸钠环境中进行浸泡实验。通过扫描电子显微镜(SEM)、能量色散X射线光谱(EDS)、X射线衍射(XRD)及拉曼光谱等测试对样品的显微结构与成分演变进行了分析。实验显示，样品发生了严重的溶解，尤其是在碳(C)富集的晶界处发生了晶间腐蚀，导致晶粒从基体上脱落。样品的失重随着浸泡时间呈线性增加。在900°C条件下浸泡8h后，样品失重量达到了31%。温度升高至1000°C后，样品浸泡4h后的失重量达到了95%。通过对腐蚀及其机制进行分析，结果发现，样品的腐蚀机制主要是表面缺少具有保护性的氧化层以及游离碳容易富集的晶界处发生优先腐蚀从而导致晶粒脱落。
关键词：碳化硅；腐蚀；晶界