林 伟 1, 2, 3 ,黄世震 1, 2, 3 ,陈文哲 1
（1.福州大学材料科学与工程学院，福州：350002；2.福州大学物理与信息工程学院，福州：350002；
3.福建省微电子集成电路重点实验室，福州：350002）
摘 要: 采用磁控溅射方法制备碳纳米管SnO2 薄膜，通过分析不同工艺条件下制备的气敏元件在 NO2 气氛中的灵敏度响应特性，以及比较不同的薄膜厚度的气敏元件的性能特性，来研究磁控溅射工艺条件的改变对碳纳米管 SnO2 气敏元件的性能的影响。实验表明：磁控溅射的工艺条件对气敏元件的性能有很大的影响，射频反应溅射碳纳米管 SnO2 气敏元件有较好的性能，最佳的气敏元件薄膜厚度在 30nm 左右。
关键词: 磁控溅射，碳纳米管，SNO2，气敏