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调控ZnGa2O4:Cr3+,Li+近红外长余辉材料的陷阱缺陷改善余辉性能

贾洪帅,朱 琦,孙旭东

(东北大学 材料科学与工程学院,辽宁 沈阳 110819)

摘 要:采用高温固相法合成了ZnGa2O4:0.005Cr3+,xLi+近红外长余辉材料。采用XRD、SEM、TEM、Uv-Vis、PL/PLE等对样品进行表征,系统研究了Li+的掺入对ZnGa2O4:Cr3+微观结构和性能的影响。结果表明:材料在紫外光或者可见光的激发下,在693 nm 处呈现近红外(Cr3+的2E→4A2 跃迁)长余辉发射。掺杂Li+提高可见光的激发效率,当x 从0 增至0.07时,407 nm 和555 nm 处的激发峰强度分别增加了114%和120%。Li+的掺入还对ZnGa2O4:Cr3+的陷阱类型和数量产生影响,其中,x=0.07 的样品具有较多数量的深陷阱,加热时可释放出高强度的余辉,在光信息存储领域具有良好的应用前景。

关键词:近红外长余辉材料;余辉性能;陷阱


  • DOI: 10.13957/j.cnki.tcxb.2021.06.017

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