吴利翔1, 2，薛佳祥1, 2，马海滨1, 2，翟剑晗1, 2，刘洋1, 2，任啟森1, 2，
廖业宏1, 2，郭伟明3，林华泰3
(1. 中广核研究院有限公司 核燃料与材料研究所，广东 深圳 518026；2. 深圳市核电站高安全性事故容错燃料技术工程实验室，广东 深圳 518116；3. 广东工业大学 机电工程学院，广东 广州 510006)
摘 要：SiC陶瓷优异的力学性能、高温稳定性以及耐腐蚀等性能，使其在航空航天、海洋工程、核能领域具有极大的应用潜力。但是其高硬和高脆特性，使其很难通过加工实现大型复杂结构件的制备，从而限制了其在以上领域的应用。因此，低温、低压连接技术研究对促进SiC的应用具有重要意义。采用Ti-Si钎料对CVD-SiC母材在1450 ℃～1550 ℃进行无压连接，结果表明，在1500 ℃连接时接头剪切强度最佳，此时剪切强度为(23.1±5.7) MPa，SiC接头断裂时发生在连接层和界面处。
关键词：碳化硅；钎焊；显微结构；剪切强度