杨莉禹，任  鑫，宁宇，刘晓曼，高丽，游俊玮，姚政
(上海大学 理学院 纳米科学与技术研究中心，上海 200444)

摘  要：研究了铝铟共掺杂对ZnO压敏电阻的微观结构和电学性能的影响，特别是浪涌冲击稳定行为。采用X射线衍射、扫描电子显微镜对ZnO压敏电阻的微观结构进行了表征，通过电流—电压测试、脉冲电流冲击测试和电容—电压测试对电性能进行了评估。结果表明：当Al³⁺和In³⁺掺杂量分别为0.0008mol%和0.0033mol%时，ZnO压敏电阻表现出了最佳的电性能；此时的电位梯度为95.3V·mm⁻¹、非线性系数为74、残压比为2.43。另外，ZnO压敏电阻在8/20 μs10 kA电流下冲击20次后，正反压敏电压变化率分别为+3.30%和−6.67%。
关键词：ZnO压敏电阻；施主掺杂；电性能；浪涌冲击稳定性