温控烧结法制备高温PTCR陶瓷
作者: 王国法编辑:qkzzs发布时间:1995-03-01点击:

王国法

(西北轻工业学院)

摘  要:实验以固相合成的(Ba0 8Pbo.4)Ti03 为主要原料,在较寛的温度范围内(1280—1360'C)制得了Tc>300C、室溫电殂率依达几十flcm、升阻差在五个数量级以上的PTCR发热体材料。并从实验结果得出:采用高温区快速升温,从烧结温度快速降温至某 一温度并保温一段时间的温控烧结法(TCS),冇利于提高材料的性能。

关键词:Ba0 8Pbo.4)Ti03;PTCR陶瓷;高温陶瓷


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