夏思雨，杜 娴，赵 帆，李倩倩，陆 彤，杜慧玲
(西安科技大学，陕西 西安 710054)

摘 要：基于铌酸银（AgNbO₃）陶瓷材料存在的铁电与反铁电相界，可通过离子掺杂的手段对其进行调控。本文通过水热法制备了 A 位 Y 掺杂的 Ag_1-3xY_x NbO₃(AN-xY，x=0~0.05)反铁电陶瓷，对微结构、介电，以及阻抗性能进行测试，并基于密度泛函理论的第一性原理计算，探究了AN-xY禁带宽度变化的机理。结果表明，随着Y³⁺掺杂量的增加，AN-xY陶瓷的M1-M2相向低温移动，反铁电稳定性增加，阻抗值减小。Y³⁺掺杂所产生的施主能级使电子更容易从价带激发至导带，禁带宽度由 1.959eV 减小至1.746eV。A位 Y³⁺的掺杂可以对 AgNbO₃ 的电性能进行目的性调控，对当前 AgNbO₃ 基无铅反铁电陶瓷的研究与微观机理分析具有重要的参考价值。
关键词：AgNbO₃；反铁电材料；介电性能；第一性原理；能带结构