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In掺杂对CdS/CdSe共敏化量子点太阳能电池性能的影响

王艳香，李 济，孙 健，高洋洋，李家科，赵学国
(景德镇陶瓷大学材料科学与工程学院，江西 景德镇 333403)

 摘 要：以氧化钛(TiO2)膜为半导体膜，制备了CdS/CdSe量子点共敏化的量子点敏化太阳能电池(Quantum Dot-sensitized Solar
Cells，简称QDSSCs)。采用连续离子层吸附和反应法制备了CdS量子点，采用化学浴沉积法制备了CdSe量子点，主要研究了In掺杂量和In掺杂方式对电池性能的影响。当In掺杂到CdS中，并且In掺杂量为9%时，所得电池性能最优。短路电流密度（short cruciut current density, Jsc )达到14.53 mA/cm2，开路电压(open circuit voltage，Voc)为0.58 V，填充因子(fill factor，FF)为0.58，光电转化率(photoelectric conversion efficient，PCE)达到4.91%。In掺杂相比不掺杂的电池的光电转化率提高了131%。
关键词：量子点敏化太阳能电池；CdS/CdSe共敏化；In掺杂；光电性能

  • DOI: 10.13957/j.cnki.tcxb.2017.02.020

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