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球磨方式对8YSZ离子电导率的影响

王 洋1,陈 涵1,郭露村1,殷 波2
(1.南京工业大学材料与科学学院,江苏 南京 210009;2.宜兴摩根热陶瓷有限公司,江苏 宜兴 214200)

摘 要:实验采用机械球磨制备8YSZ(8mol%氧化钇稳定氧化锆)粉末,球磨过程中使用了有3YSZ陶瓷内衬及无内衬的尼龙球磨罐(记为PMZPMN),分别采用X-射线衍射研究了不同球磨过程下得到的8YSZ粉体,离心沉降法测量了得到的不同8YSZ粉体的粒径,阿基米德悬浮法以及电化学阻抗谱研究了不同球磨过程得到的8YSZ的气孔率以及离子电导率。结果表明:8YSZ表观粒径在PMZPMN过程中分别达到饱和值0.42 μm0.89 μm8YSZ的离子电导率随着8YSZ粉体的表观粒径(1.43-0.42 μm)减小而提高;为了弥补球磨过程中由于3YSZ混入导致的氧化钇摩尔比偏离,PMZ球磨48 h8YSZ在增补0.44 mol%的氧化钇后离子电导率提高了10%,达到0.0283 S·cm-1
关键词:机械球磨;8mol%氧化钇稳定氧化锆;离子电导率

  • DOI: 10.13957/j.cnki.tcxb.2016.03.004

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