刘少鹏，蔡宏中，魏 燕，祁小红，胡昌义 （昆明贵金属研究所 稀贵金属综合利用新技术国家重点实验室，云南 昆明 650106）
摘 要：HfO2因具有大的介电常数、宽的带隙、低的漏电流、与Si的导带偏移较大且与Si的晶格匹配良好，在半导体工业领域获得了广泛的应用；同时，HfO2有着高的熔点,低的导热系数及蒸发率,优良的热相容、热障及热扩散屏障等性能，是目前高温抗氧化涂层材料最具希望的候选材料。本文简述了HfO2薄膜几种常见的制备方法及相应特点。关键词：HfO2；薄膜；制备方法；晶体结构；性能