过刊浏览
Nb5+掺杂改性CaBi4Ti4O15 压电陶瓷的研究

洪燕 李月明 沈宗洋 王竹梅 廖润华 李润润 刘虎

(景德镇陶瓷学院材料科学与工程学院,江西省先进陶瓷材料重点实验室,江西景德镇333403)

摘要:采用传统固相烧结法,制备了CaBi4Ti(1- x)NbxO15 ( x=0.00- 0.05, CBT- N)系铋层状结构无铅压电陶瓷。研究了Nb5+ 掺杂对CBT压电陶瓷压电与介电性能的影响。研究结果表明:添加Nb5+ 离子,改善了CBT 陶瓷的烧结特性,提高了瓷体的致密度。Nb2O5 的引入降低了CBT 系列陶瓷的介质损耗,改善了陶瓷的压电与介电性能。当掺入量x=0.04 (CaBi4Ti0.96Nb0.04O15)时制备的CBT 基铋层状压电陶瓷具有优异的压电性能:d33=14pC/N,Qm=3086,εr=212,tanδ=0.0041,kt/kp=1.681。

关键词:铋层状;介电性能;压电性能;CaBi4Ti4O15


  • DOI: 10.13957/j.cnki.tcxb.2011.02.005

  • 查看全文】已下载

打印    收藏      导出BibTex文件      导出EndNote文件      导出XML文件