曹 昉1，陈 婷1, 2，查剑锐1，江伟辉1, 2，刘健敏1，吴 倩1
(1.景德镇陶瓷学院材料科学与工程学院，江西 景德镇 333403；2.国家日用及建筑陶瓷工程技术研究中心，江西 景德镇 333001)
摘 要：采用非水解溶胶-凝胶法于n型单晶硅基片表面制备出硅酸锆薄膜，并对其相组成及表面形貌进行了研究。运用XRD和FE-SEM研究了热处理温度、前驱体浓度和镀膜次数对硅酸锆合成及薄膜形貌的影响。结果表明：在矿化剂LiF引入的条件下，750 ℃时可以合成硅酸锆粉体，850 ℃时可以制备出致密光滑的硅酸锆薄膜。与粉体的合成相比，薄膜生长属于二维传质，矿化剂作用于薄膜制备时，反应活性效果减弱。在该温度下，前驱体浓度为0.7 mol·L-1时，通过两次镀膜可以获得表面光滑，致密无开裂的硅酸锆薄膜，而继续升高热处理温度则会导致晶粒长大，加剧二次再结晶作用，薄膜的致密性下降。
关键词：硅酸锆；薄膜；非水解溶胶-凝胶法；致密