谢耀江1 胡跃辉1 肖仁贤1 陈光华2 徐海军1 陈义川1 王立富1
（1.景德镇陶瓷学院，江西景德镇333403；2.北京工业大学材料学院，北京100022）
摘要：用微波电子回旋共振化学气相沉积（MWECR CVD）系统制备了具有非晶/微晶两相结构的硅薄膜，研究了沉积温度和沉积压力等对制备微晶硅薄膜的结构和电学特性的影响。结果表明：较低的反应压和较高的衬底温度有利于获得非晶/ 微晶两相结构的硅薄膜，当反应压为0.7Pa、衬底温度为170℃时，得到非晶/微晶两相结构的硅薄膜晶相体积比约为30％；具有这种晶相体积比的非晶/ 微晶两相结构的硅薄膜，μτ乘积值约为10- 5量级左右，比不含微晶成分的氢化非晶硅样品的μτ乘积值大约2个量级，同时这种晶相体积比的非晶/ 微晶两相结构的硅薄膜的光敏性在103~104左右，其兼具很好的光电导稳定性和优良的光电特性，是制备非晶硅太阳电池的器件级本征层材料。
关键词：MWECR CVD 沉积系统，非晶硅，微晶硅