马秋花¹ 田军辉² 王改民¹ 侯永改¹

（1.河南工业大学材料科学与工程学院，河南郑州450007；2 河南工业大学理学院，河南郑州450007）

摘要：本文采用第一性原理的密度泛函理论平面波赝势法，通过广义梯度近似电子结构计算对立方C₃N₄进行了研究，结果表明立方C₃N₄ 属于间接能隙的半导体，带宽为2.92eV，C 和N 的电荷分别为0.44 和- 0.33，键长为0.14771nm，此外，吸收长波限值为147nm，静态介电常数为4.6。通过计算揭示了立方C₃N₄不仅有较高的硬度、良好的化学稳定性，而且具有较强的红外线穿透性，对材料在耐磨方面及光学领域的应用具有一定的指导意义。

关键词：立方C₃N₄；电子结构；高温耐磨；红外穿透性