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Zr/Ti比对PSN-PZN-PMS-PZT五元系压电陶瓷性能的影响

陆翠敏孙清池孙琳徐明霞

（天津大学材料科学与工程学院，300072)

摘要：以固态氧化物为原料， 采用二次合成工艺制备PSN-PZN-PMS-PZT五元系压电陶瓷。研究准同型相界(MPB)附近组成为0.03Pb(Sn1/3Nb2/3)O3-0.03Pb(Zn1/2Nb2/3)O3-0.04Pb(Mn1/2Sb2/3）O3-xPbZrO3-(0.9-x)PbTi03(x=0430-0.460)的陶瓷性能。结果发现：在合成温度860℃、保温3h时可以得到钙铁矿结构。当x=0.435，即Zr/Ti=O．935时，烧结温度1260℃，保温3h，其压电、介电性能在准同型相界处综合性能最佳： ε33T／ε0=390,d33=300 X 10-5C/N，Kp＝55.1%,Qm=1180。

关键词：二次合成，五元系，准同型相界，压电，介电，铁电性能


  • DOI: 10.13957/j.cnki.tcxb.2004.03.003

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