王国梅 徐晓虹 吴建锋 杜慧玲

(武汉工业大学材料学院)

勾焕林

(清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室)

摘要：本文测量了铜离子注入(Ba_1-xSr_x)TiO₃半导体陶瓷样品在25~180℃,10Hz~13MHz之间的交流阻抗。根据等效电路模型与阻抗谱的变化，分析了注入样品的晶粒电阻、晶界电阻及其对温度的依从性以及样品的PTCR特性。研究表明,注入剂k为6×10^-5ions/cm²时,可以提高材料的PTCR效应。此外,辅以XPS和阻温特性测分析注入铜离子的状态及样品的PTCR特性。

关键词：(Ba, Sr)TiO₃半导瓷,离子注入，阻抗谱