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SiC晶须、晶板增韧AIN陶瓷的研究

张宏泉,杨中民,牟善彬

(武汉工业大学)

摘要:本文利用现代测试技术对SiCwSiCp增韧AIN材料的力学性能、显微结构进行研究,并分析探讨了材料的增韧机理。结果表明:SiCw可有效改善材料的断裂韧性和断裂强度,其增韧机理主要为裂纹偏转和晶须拔出效应。SiCp的加入对材料的断裂韧性赶到良好的促进作用,但对材料的断裂强度则有不良的作用,其增韧机理主要为裂纹偏转和分枝效应。

关键词:A1N/SiC复 合材料, SIC晶须,SiC晶板,增韧.


  • DOI: 10.13957/j.cnki.tcxb.1998.02.003

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