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添加纳米SiO2 对Mg-Al-Si-O 系陶瓷烧结及介电性能的影响

支晓洁1,2 彭金辉1,2 郭胜惠1,2 孟彬1,2 陈菓1,2 李军1,2 吴小方1

(1.昆明理工大学材料与冶金工程学院，昆明：650093；2.非常规冶金省部共建教育部重点实验室，

昆明理工大学，昆明：650093)

摘要：通过在分析纯MgO、Al2O3、SiO2原料中添加纳米SiO2，采用直接烧结法在1400℃合成Mg-Al-Si-O 系陶瓷材料。系统研究了纳米SiO2含量对Mg-Al-Si-O 系陶瓷材料力学和介电性能的影响。实验结果表明：纳米SiO2含量为10~20%时可以有效降低材料的介电常数；含量为30%时可以获得最大体积密度和弯曲强度。

关键词：Mg-Al-Si-O 系陶瓷，纳米SiO2，介电常数


  • DOI: 10.13957/j.cnki.tcxb.2009.04.003

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