伍子成，沈宗洋，宋福生，骆雯琴，王竹梅，李月明

(景德镇陶瓷大学 材料科学与工程学院，中国轻工业功能陶瓷材料重点实验室，江西省能量存储与转换陶瓷材料工程实验室，江西 景德镇 333403)

摘 要：采用固相反应法制备了CexCa_1−xBi₄Ti₄O₁₅(CCBT, x=0, 0.02, 0.04, 0.06, 0.08, 0.10)铋层状高温压电陶瓷，研究了A位Ce掺杂对陶瓷晶体结构、微观结构、介电、压电性能的影响规律。结果表明：所有样品的主晶相均具有m=4的铋层状结构，当x≥0.08 时，出现Bi₂Ti₂O₇ 焦绿石杂相。当Ce 掺杂量x=0.06 时，样品具有最高的压电常数(d₃₃=17 pC·N⁻¹)，是纯CBT 陶瓷(d₃₃=8 pC·N⁻¹)的两倍以上。同时，该陶瓷还具有居里温度高(Tc=773 ℃)、室温下介电损耗低(tanδ=0.7%)、电阻率高(ρ=6.4×107 Ω·cm @500 ℃)的特点，且在550 ℃退火后，其d₃₃ 仍保持14.2 pC·N⁻¹，超过室温值的80%，是制作高温压电传感器的理想陶瓷材料。

关键词：无铅压电陶瓷；铋层状结构；CaBi₄Ti₄O₁₅；高温传感器