李楚星，余金山，王洪磊，周新贵
(国防科技大学 新型陶瓷纤维及其复合材料重点实验室，湖南 长沙 410073)
摘 要：连续SiC 纤维增强SiC 基复合材料(SiCf/SiC)具有强度高、模量高、耐高温、抗氧化等优良性能，是航空航天领域极具潜力的高温结构材料。界面相是SiCf/SiC 复合材料极其重要的组成部分，具有保护纤维、承受载荷、传递应力等功能，特别是BN 界面可有效提高SiCf/SiC 复合材料的力学性能。采用硼吖嗪和BCl3 两种硼源，先通过化学气相沉积(CVD)工艺分别制备了BN 界面层；再通过化学气相渗透(CVI)工艺沉积碳制备了SiCf/SiC 复合材料中间体；最后，通过气相渗硅工艺(VSI)制备SiCf/SiC 复合材料。通过红外光谱、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、纳米压痕、纳米CT 等手段研究了不同硼源制备BN 界面的形貌、结构及其对复合材料性能的影响，探索了VSI 工艺前后复合材料性能与结构的关系。所得SiCf/SiC 复合材料的弯曲强度最高为294.66 MPa，其孔隙率为1.65%，断裂韧性为14.59 MPa·m1/2。
关键词：化学气相沉积；BN；界面；气相渗硅；SiC；复合材料