许 洁^{1, 2}，周小兵²，徐 凯²，常可可²，代建清¹，黄 庆²

(1. 昆明理工大学，云南 昆明 650000；2. 中国科学院 宁波材料技术与工程研究所，浙江 宁波 315000)

摘 要：SiC 陶瓷具有强共价键结构，表面扩散系数较低，其低温烧结致密化一直是业内学者研究的焦点之一。利用Pr₃Si₂C₂与SiC在~1150 ℃发生低温共晶液相转变可促进SiC烧结的原理，采用熔盐法，在SiC颗粒表面原位生长出Pr₃Si₂C₂，促进了Pr₃Si₂C₂烧结助剂与SiC颗粒的均匀分散。通过电场辅助烧结，在1500℃低温下实现了SiC陶瓷的高致密化(气孔率~0.3%)，热导率达到106 W·m⁻¹·K⁻¹。通过对SiC陶瓷微观结构分析，其烧结过程为典型的液相烧结溶解—沉淀机制。本文Pr₃Si₂C₂低温烧结助剂的开发为SiC陶瓷及其复合材料的低温烧结提供了实验依据。

关键词：碳化硅；液相烧结；电场辅助烧结；镨硅碳；熔盐法