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Br与I单一调控对卤氧化铋微观结构及光催化性能的影响研究

彭  茜,谢  鹏,孙家杰,谢子聪,余孟怀,王筱彤,魏志顺

(湖北工业大学 材料与化学工程学院,湖北 武汉 430068)

摘 要:本文通过简便的一步法成功合成了溴氧化铋(BOB)与碘氧化铋(BOI)光催化材料。结合XRD、SEM、XPS、DRS等表征手段以及光催化降解性能测试,深入探究了卤素阴离子(Br⁻与I⁻)对材料微观形貌、结构、物理化学性质及光催化性能的调控机制。研究结果表明,I⁻相较于Br⁻具有更大的离子半径、更低的电负性及更高的轨道能级,导致BOI发生晶格膨胀、Bi位点电子密度轻微升高,并显著窄化了光学带隙(1.75 eV vs. 2.70 eV)。能带结构分析表明,BOI具有更负的导带位置和优异的可见光捕获能力,而BOB则具有更正的价带位置和更强的空穴氧化潜力。在可见光条件下,针对有机污染物TC,BOI展现出更优异的光催化降解能力,其伪二级动力学表观速率常数k2(0.00246 L·mg–1·min–1)约为BOB (0.0005867 L·mg–1·min–1)的4.2倍,60 min内TC去除率达77.0%,远高于BOB的47.2%。实验结果表明光吸收能力(带隙宽度)是本实验中影响光催化性能差异的关键因素。

关键词:卤氧化铋;卤素调控;光催化;微观结构


  • DOI: 10.13957/j.cnki.tcxb.2026.02.013

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