掺杂物对PSN-PSZT 系统准同型相界附近的介电和压电性能的影响
作者: 高春华,黄新友编辑:qkzzs发布时间:2002-08-01点击:

高春华,黄新友

(江苏大学材料科学与工程学院‚镇江:212013

摘 要:采用传统含铅压电陶瓷工艺制备了不同掺杂物(La2O3、MnO2、MnCO3、SiO2)掺杂0.02Pb(Nb1/2Sb1/2)O3-0.98Pb0.847Sr0.153(Zr0.55Ti0.45)O3 系压电陶瓷材料(简称PSN-PSZT)。研究了不同掺杂物对PSN-PSZT 系准同型相界附近的介电和压电性能、频率温度系数的影响‚得到了滤波器振子用压电材料‚其性能为:平面机电耦合系数Kp =56%‚机械品质因数Qm =560‚介质损耗tgδ为0.9%‚相对介电常数(εr )1950‚频率温度系数TKfr=30ppm/℃‚同时研究了不同掺杂物样品的电滞回线特征‚探讨了掺杂物作用机理。

关键词:铌锑锆钛酸铅陶瓷‚准同型相界‚压电性能‚介电性能


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