王海龙 ,张锐 ,卢红霞 ,许红亮 ,胡行
(1.郑州大学材料工程学院 450002; 2.郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室 450005）

摘  要：为改善SiC与金属的结合性,分别采用化学镀法和非均相沉淀法制备Cu包裹SiC颗粒复合粉体。通过XRD衍射分析得出以上两种包裹方法都可以得到大部分包裹着Cu相的SiC颗粒,同一组分比例下非均相沉淀法得到的Cu相对于化学镀法得到的Cu多,且非均相沉淀法同样得到相对较多的Cu2O。SEM形貌观察分析得出:化学镀法容易制备Cu包裹粒径较大碳化硅颗粒,非均相沉淀法容易制备Cu包裹粒径较大碳化硅颗粒,其大小、形状均对包覆效果有影响,小颗粒的碳化硅颗粒比大颗粒的包覆效果好,球形颗粒比其他形貌的颗粒包覆效果好。
关键词:包裹,化学镀铜,非均相沉淀