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熔融渗硅处理对PIP 工艺制备的SiCf/SiC 复合材料性能影响

杨金华1,姜卓钰1,吕晓旭1,刘 虎1,2,杨 瑞1,2,焦 健1,2
(1. 中国航发北京航空材料研究院 先进复合材料国防科技重点实验室,北京 100095;2. 中国航发北京航空材料研究院 航空材料先进腐蚀与防护航空科技重点实验室,北京 100095)

摘 要:采用前驱体浸渍裂解工艺及浸渍裂解-熔融渗硅复合工艺制备了SiCf/SiC 复合材料。首先采用前驱体浸渍裂解工艺及两种不同界面层的纤维布制备复合材料,当界面层为BN/SiC 双界面层时,制备的复合材料弯曲强度为373±71 MPa,体积密度为2.351 g/cm3,显气孔率为15%;当界面层为热解碳界面层时,制备的复合材料弯曲强度为717±59 MPa,体积密度为2.263 g/cm3,显气孔率为21%。经熔融渗硅后,上述两种复合材料的弯曲强度分别为291±42 MPa320±134 MPa,体积密度分别为2.504 g/cm32.496 g/cm3,显气孔率分别降至7%与6%。实验结果表明,界面层对复合材料性能影响较为显著,采用复合工艺能够明显降低材料孔隙率,熔融渗硅后材料性能下降,下降幅度与界面层类型有关。
关键词:陶瓷基复合材料;碳化硅纤维;熔融渗硅;前驱体浸渍裂解;碳化硅

  • DOI: 10.13957/j.cnki.tcxb.2019.06.021

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