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有机发光器件的光电性能研究

王英连1 曾仁芬1 叶君耀2

（1.景德镇陶瓷学院机电学院，景德镇：333403；2.景德镇陶瓷学院信息学院，景德镇：333403）

摘要：采用真空蒸发镀膜的方法制备了ITO/TPD(30nm)/Alq3(40nm)/LiF/Al结构的有机发光器件，讨论了Alq3的沉积速率和缓冲层LiF的厚度对器件光电性能的影响。结果表明：Alq3膜的沉积速率为0.2nm/s 时所形成的器件光电性能最好，启亮电压为10V，最大发光效率为2.58cd/A；不同厚度LiF 层的注入，使器件的光电性能有了不同程度的改善，LiF层厚度为2nm 时效果最佳，启亮电压降至7V，亮度提高了1345cd/m2，最大发光效率达4.4cd/A。

关键词：有机发光器件，Alq3，沉积速率，LiF


  • DOI: 10.13957/j.cnki.tcxb.2010.03.033

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