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Mg2+掺杂对BBTI-BIT 陶瓷的结构与电学性能影响的研究

王 辉,江向平,王衔雯,聂 鑫,陈 超,黄枭坤,杨立强

(景德镇陶瓷大学 材料科学与工程学院 江西省先进陶瓷材料重点实验室,江西 景德镇 333403)

摘 要:采用固相法制备BaBi8Ti7−xMgxO27−δ (x=0, 0.2, 0.4, 0.6, 0.8)共生铋层状无铅压电陶瓷样品,研究Mg2+含量对陶瓷样品的结构、电学性能及其温度稳定性的影响。结果表明:所有陶瓷样品均呈单一的相结构;随着Mg2+含量的增加,介电常数与介电损耗均呈现减小的趋势,样品在高温下阻抗和激活能均增大。此外,一定含量的Mg2+会使晶粒由片状转为颗粒状等轴晶粒,这有利于陶瓷样品压电性能的提升。当x=0.6时,综合电性能达到最佳,居里温度约为480℃;压电常数为18.8 pC·N−1,约为未掺杂样品的250%。

关键词:共生铋层状无铅压电陶瓷;压电常数;掺杂


  • DOI: 10.13957/j.cnki.tcxb.2022.03.07

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