(Pb0.3Sr0.7)1- xKxTiO3 薄膜制备与介电调谐性能
作者: 张园 吴敏编辑:qkzzs发布时间:2009-06-01点击:

张园吴敏

(三峡大学机械与材料学院,宜昌:443002)

摘要:采用溶胶- 凝胶法在Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备了多种不同组分的(Pb0.3Sr0.7)1-xKxTiO3(PST) (x=0,1mol%,2.5mol%,5mol%)多层均匀薄膜,并研究了它们的介电调谐性能。发现掺杂后薄膜的相结构没有发生变化,晶粒尺寸明显减小, 介电常数降低及介电损耗减小。1MHz时,随K含量从0增加至5mol%,薄膜的介电常数从841降低至539,而介电损耗由0.134减小到0.0576,其微波介电综合性能改善。

关键词:钛酸锶铅,K+掺杂,薄膜,Sol-Gel,介电调谐


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