气相法制备半导体ZnS一维纳米结构的研究进展
作者: 刘美多 刘刚 武祥编辑:qkzzs发布时间:2009-06-01点击:

刘美多1,2 刘刚1 武祥2

(1.鸡西大学安全与环境工程系,鸡西:158100;2.哈尔滨师范大学化学化工学院,哈尔滨:150025)

摘要:一维纳米材料(纳米管、纳米线、纳米带、纳米锯等)具有特异的物理、化学性质,并在未来纳米器件中具有潜在的应用价值,因此成为纳米材料领域中的研究热点。II-VI族半导体化合物ZnS是一种重要的光电、发光和激光材料。对半导体ZnS一维纳米结构的合成方法、晶体结构、生长机制作了详细的论述。同时,对ZnS一维纳米结构的未来研究方向和应用作了展望。

关键词:ZnS,准一维纳米结构,制备方法,生长机制


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