王时超 ^{1, 2}，刘学建 ¹，姚秀敏 ¹，黄政仁 ¹

(1. 中国科学院上海硅酸盐研究所，上海 200050；2. 中国科学院大学 材料科学与光电工程中心，北京 100049)

摘 要：碳化硅(SiC)陶瓷因具有高热导等综合性能，在热管理领域得到广泛应用。SiC 陶瓷的烧结通常需要引入烧结助剂以降低烧结温度，但这往往也会引入杂质、晶格缺陷及晶界第二相，增强声子散射，使得其热导率远低于本征值。本文系统综述了采用不同烧结助剂体系(主要包括 B-C 体系、氧化物体系及非氧化物体系等)制备 SiC 陶瓷时其对热导率影响的研究进展，重点综述了烧结助剂种类与用量、SiC 原料特性及制备工艺等因素对 SiC 陶瓷热导率的影响规律，分析了影响热导率的作用机理，并对未来高导热 SiC 陶瓷研究的发展方向进行了展望。

关键词：SiC 陶瓷；烧结助剂；热导率