张元松,钟 敏,张 静,燕周民,赖 炜
(贵州振华红云电子有限公司,贵州 贵阳 550018)
摘 要:采用XRD 分析了固相法制备0.10BF-0.90PZT 压电陶瓷不同锆钛比的相结构,并研究了A 位掺杂量对体系介电、压电性能的影响。研究表明:体系的相结构均为单一的钙钛矿结构;随着锆钛比的降低,体系的相结构由三方相向四方相转变,且体系的准同型相界位于锆钛比为1.24 附近;在锆钛比为1.24 组分中A 位掺杂量为0.16 时,介电和压电性能达到最佳值,即:相对介电常数(εT33 / ε0)为 4118、机电耦合系数(kp)为 0.85、压电常数(d33)为 803 pC/N、介电损耗(tanδ)为 2.21%、机械品质因子(Qm)为49.8;居里温度(Tc)为214 ℃且掺杂浓度达到饱和;并发现该体系具有典型的介电弛豫特性。
关键词:BF-PZT 压电陶瓷;A 位掺杂;介电和压电性能;介电弛豫特性
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