牛雯靖，宋佰森，孔维浩，李梓舟，白宇峰

(佳木斯大学 材料科学与工程学院，黑龙江 佳木斯 154007)

摘  要：随着信息技术与5G通信的迅猛发展，电子器件正向小型化、高集成度与高功率密度方向演进，导致热流密度显著上升，对电子封装材料的热管理性能提出更高要求。在确保优异电绝缘性的前提下提升材料的导热能力，已成为电子材料领域的关键研究方向。本研究采用等离子球磨技术对氮化硼(h-BN)进行羟基化改性，制得氧掺杂氮化硼(BN-N)填料。傅里叶变换红外光谱(FTIR)结果表明，-OH官能团成功引入BN表面，为与光固化树脂的化学键合提供了反应基础。通过溶液分散结合紫外光固化的方式制备BN-N/树脂复合材料。扫描电子显微镜(SEM)结果显示，BN-N在树脂中形成了均匀分布的二维网络结构。热导率测试表明，当BN-N含量为15 wt.%时，复合材料的热导率较纯树脂提高约27%，同时保持优异的成型性能和电绝缘性。摩擦磨损测试结果显示，当BN-N含量为5 wt.%时，复合材料的耐磨性能显著提升，磨痕直径减少28.6%。研究表明，等离子球磨羟基化策略可有效改善BN与光固化树脂的界面相容性和分散性，显著增强其热导与耐磨性能，为高性能电子封装材料提供新的技术路径。

关键词：光固化树脂；等离子球磨；羟基化氮化硼；导热性能